발진과 증폭, 건 다이오드(Gunn diode) , 임팻 다이오드(IMPATT diode)

발진과 증폭, 건 다이오드(Gunn diode) , 임팻 다이오드(IMPATT diode)

발진과 증폭

건 다이오드(Gunn diode)

출력 전력 1W의 RF를 생성할 수 있으나 통상적으로는 0.1W 수준에서 동작

보통 갈륨비소GaAs로부터 제조됨

건 효과(Gunn effect)로 인해 발진

정류기나 검파기, 혼합기와는 다르게 동작

대신에 발진은 음성저항(negative resistance)의 결과로서 발생

건 다이오드 발진기는 버랙터 다이오드를 사용하여 주로 동조

건 다이오드 발진기는 건플렉서(Gunnplexer)라는 초고주파 혼 안테나에 직접 연결됨

이들 소자는 10GHz 또는 그 이상의 주파수에서 아마추어-라디오 실험자들에게 인기 있음

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임팻 다이오드(IMPATT diode)

초고주파 발진회로

갈륨비소 대신 실리콘 사용

건 다이오드 발진기를 채택한 초고주파 전송기용 증폭기로서 사용 가능

발진기로서 임팻 다이오드는 비슷한 주파수 영역에서 동일한 양의 출력 전력을 건 다이오드처럼 생성 가능

터널 다이오드(tunnel diode) = 에사키 다이오드(Esaki diode)

초고주파수에서 발진

초고주파 라디오 수신기의 국부 발진기로서 충분한 전력을 공급 생성

아주 작은 원치 않는 잡음 생성

초고주파 수신기에서 터널 다이오드가 증폭기로서 잘 동작

갈륨비소 소자에서 특히 잘 동작

발진과 증폭, 건 다이오드(Gunn diode) , 임팻 다이오드(IMPATT diode)